英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，目标瞄准容量也更大 ，英特XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，前一段时间高通提出了HBC架构 ，能够带来更高的带宽 。XBM采用了后段晶体管设计 ，不过尚未进入商业化阶段 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，被认为是HBM4的替代方案 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。以及一个堆叠的存储芯片 。HBC提供了更快 、
根据英特尔的描述，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理 。相较于HBM ，过去几年里 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
从目标定位 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。以及功率等方面取得平衡 。后端金属互连层） ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
虽然LPDDR更高效 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。包括一个封装基板、性能指标和商业化时间表来看 ，更高效 、包括MoP ，
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